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該項目聚焦第三代半導體IGBT封裝用高性能覆銅氮化鋁陶瓷基板及活性釬料的國產(chǎn)化攻關，突破了高純活性釬料的成分創(chuàng)新與多形態(tài)可控制備、陶瓷/銅異質(zhì)連接殘余應力調(diào)控、多場耦合服役性能預測與評價等關鍵技術，成功開發(fā)出多形態(tài)活性釬料與高可靠性覆銅陶瓷板。項目打破國外技術壟斷，產(chǎn)品性能達國際先進水平，已授權發(fā)明專利7件，并獲得“國內(nèi)首批次新材料”認定，實現(xiàn)向比亞迪、羅杰斯等行業(yè)龍頭企業(yè)配套，有效支撐了我國功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

現(xiàn)代能源、交通、信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，要求“血脈”材料-銅不僅具備高的導電導熱能力，還同時要求高強度的特性。本項目針對以上需求，提出二維材料強化銅基體的設計理念,通過高載流子密度銅與高遷移率二維石墨烯界面?zhèn)鬏攨f(xié)同,突破銅本征導電導熱性能，同時石墨烯具有極佳的力學性能，能有效提升銅的強度。項目開發(fā)的特種銅基復合材料導電率達106%IACS，熱導率超過430W/(m·K)，強度相比純銅提高50%以上，可應用于新能源大電流電纜、算力用中心用散熱器以及各種大功率開關電器中。